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产品信息
MOS管: TPN2R703NL 10.驱动器:全新一代三合一MOS驱动U-MOSⅧ-H 是第 8 代高速沟槽式结构 MOSFET U-MOSⅧ-H 是一种高能效 MOSFET 系列，专门设计用于 AC-DC 和 DC-DC 电源的次级侧。 U-MOSⅧ-H 采用的沟槽式 MOS 工艺制造，在导通电阻和电容之间，如输入、反向传输和输出电容，实现了出色的平衡。 U-MOSⅧ-H 将有助于提高电源的效率。 漏源极击穿电压: 30 V 栅极-源极电压: 20 V 栅源极阈值电压: 1.3 V to 2.3 V Qg-栅极电荷: 21 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: + 150 C